2025-09-22 |
展会动态
半导体产业聚焦三大核心赛道，2025风米IC精英大讲堂共探 “芯” 机遇
当前，全球半导体产业正处于技术迭代与市场变革的关键节点。AI 算力需求的爆发式增长推动光互连技术加速演进，先进制程不断突破物理极限催生检测与封装技术革新，而芯片功耗攀升则使高效热管理成为产业痛点。
在此背景下，作为我国半导体设备与核心部件及材料领域的年度盛会，CSEAC 2025 于 2025 年 9 月 4 日在无锡君来世尊酒店兰花厅举办专题论坛2025风米IC精英大讲堂，汇聚全球顶尖专家，围绕 AI 算力集群、先进封装检测、热管理材料等核心赛道，展开技术拆解与产业前瞻，为行业奉上一场兼具深度与实践价值的 “芯” 领域盛宴。
本次论坛依托 CSEAC 2025 平台优势，邀请到了7位在半导体细分领域深耕多年的专家学者担任主讲嘉宾，搭建起 “技术拆解——产品验证——场景落地” 一体化对话平台，旨在帮助参会者实现视野拓展、人脉构建与技能沉淀的 “三位一体” 价值提升。
AI浪潮之CPO机遇和挑战
在 AI 算力集群赛道，US CONEC 亚太区业务发展经理孙承恩率先带来《AI 浪潮之 CPO 机遇和挑战》演讲。
US CONEC 亚太区业务发展经理 孙承恩
他结合自身在 AI 网络架构、数据中心布线领域的多年实践经验指出，当前 AI 数据中心发展正面临算力、通讯、内存三大 “高墙” 的阻碍，且这些挑战已成为制约 AI 大模型训练与应用落地的关键瓶颈。
针对上述三大挑战，孙承恩经理详细阐述了当前行业内的主流技术突破方向，涵盖算力提升、通讯升级、内存优化三大领域，其中 CPO/OIO 光互连技术成为核心突破口。
AI浪潮之CPO机遇和挑战
先进封装检测领域的探讨同样聚焦产业痛点。南京中安半导体设备有限责任公司副总初新堂以《面向先进制程的颗粒检测设备的开发及应用》为主题，强调在先进芯片制造领域，微小颗粒的污染可能引发严重缺陷，尤其是＜15nm 的颗粒，这对颗粒检测设备提出了超高灵敏度、宽粒径检测范围及高稳定性的严苛要求。
南京中安半导体设备有限责任公司副总 初新堂
南京中安半导体副总经理初新堂在演讲中透露，公司仅用三年便推出CP3/CP6/CP7系列无图形颗粒检测设备，量产灵敏度已覆盖34nm→13nm，产能最高提升3倍，全部对标国际SP3-SP7主流机型并获得重复订单。
初新堂先生强调，颗粒检测设备的开发是一项系统化工程，需将各子系统优化至最佳并协同配合。南京中安能在短短 2-3 年内实现如此突破，核心在于技术团队的深厚积累与创新能力。团队未来也将持续深耕先进制程颗粒检测领域，为半导体行业发展提供更优质的设备与解决方案。
AI算力需求下的晶片热传材料方案
东莞市兆科电子材料科技有限公司协理 顾友信
在热管理材料赛道，东莞市兆科电子材料科技有限公司协理顾友信在《AI 算力需求下的晶片热传材料方案》中，从 CPU、GPU 等芯片的热设计功耗与功率密度持续上升，到静态功耗（漏电流）引发的热量释放问题，再到芯片使用过程中因热膨胀系数（CTE）不匹配导致的翘曲收缩、导热膏 “pump out”（被挤出）现象，以及界面热阻难以消除等难题，全方位展现了行业在芯片散热领域面临的复杂局面。
他指出，随着 AI 技术的飞速发展，芯片散热问题愈发受到行业关注。他结合公司 20 年研发生产经验，介绍了低应力导热垫片、低 BLT 导热凝胶液态金属等创新热传材料方案，为芯片散热提供多元化选择：低应力导热垫片方案；低 BLT（界面厚度）导热凝胶方案；碳材料导热方案；液态金属导热方案。
如何透过“化学程式”优化半导体产业，以实现1纳米制程技术？
佛光超导未来学院创办人释三宝博士将内容分为制程技术的演进与挑战、1 纳米制程的流程总览、关键技术方法、当前进展与未来应用前景以及结论与展望五个核心部分，深入剖析如何借助 “化学程式” 优化半导体产业，为 1 纳米制程技术的实现提供了清晰路径。
佛光超导未来学院创办人 释三宝博士
释博士指出，1纳米节点需近200道工序、单道良率≥85%，量子隧穿与原子缺陷已成最大拦路虎。团队给出“四把钥匙”：高NA EUV光刻实现6纳米半间距；可编程ALD/ALE把薄膜厚度误差压到1原子层；DFT+AI每秒亿级运算，自动匹配前驱体、温度与压力；二硫化钼、拓扑绝缘体、高熵合金等新材料替代硅通道，漏电下降90%。
目前高NA EUV、ALD、ALE已陆续导入产线，2D材料晶圆完成实验室验证。释博士预测，2028年1纳米芯片将率先用于AI超算与纳米医疗机器人，运算能效可再翻10倍。
金刚石在半导体功率器件散热中的应用
中国科学院重庆绿色智能技术研究院博后张坤，深入剖析了金刚石如何成为破解高功率器件散热难题的 “关键材料”，为行业发展提供重要技术参考。
中国科学院重庆绿色智能技术研究院博后 张坤
张坤指出，“要突破更高电压（如 1200V）氮化镓器件的技术壁垒，必须先解决‘近热源散热’问题 —— 而金刚石正是目前最优解之一。”
张坤指出，金刚石的材料优势在于其热导率是铜的4倍，且热膨胀系数低，远超硅、铜、氮化铝（AlN）等传统散热材料，同时兼具超宽禁带、高载流子迁移率等特性，既能做散热载体，也可拓展为光学窗口、量子器件基材。
此外，金刚石还可与导热胶、工装基板等结合，形成热导率覆盖 “几到两千多 W/(m・K)” 的多元化产品矩阵。
先进封装应用之CMP工艺与材料
苏州观胜半导体科技有限公司副总经理潘毓豪博士，结合其 15 年以上半导体 CMP 制程经验，围绕 “先进封装应用之 CMP 工艺与材料” 展开深度分享，从行业演进、技术挑战、工艺细节到企业实践，为行业同仁揭开了 CMP 在先进封装领域的关键作用。
苏州观胜半导体科技有限公司副总经理 潘毓豪博士
潘毓豪博士在分享中指出，先进封装与传统封装的核心差异，在于从 “先切割后封装” 到 “先堆叠后切割” 的制程变革，其本质是通过 IO（输入输出）数量的增加与微型化，实现芯片功能的高效整合。
潘毓豪博士强调，先进封装的竞争本质是 “工艺落地能力” 的竞争 ——“行业对 2.5D/3D 封装的结构原理已充分认知，但如何通过 CMP 等关键制程实现稳定量产、提升良率，才是企业突围的核心。未来，随着线宽持续缩小，CMP 研磨垫的孔隙将向更微观级别发展，材料与工艺的协同创新，将成为推动先进封装从‘概念’走向‘量产’的关键动力。”
先进异质整合封装技术与市场挑战
台湾中兴大学能源材料与环境永续专业学院研究员兼产学中心教授郭升鑫博士，以自身丰富的产业经验为切入点，系统梳理了先进异质整合封装技术的发展脉络。
台湾中兴大学能源材料与环境永续专业学院研究员兼产学中心教授 郭升鑫博士
在技术解析环节，郭升鑫博士重点对比了 2D、2.5D 与 3D 封装技术的特点与应用场景。
郭升鑫博士强调，异质整合封装与传统封装的最大差异，在于需克服多材料界面间的晶格不匹配、热传导差异等问题，这也推动了 TSV（硅通孔）、Hybrid Bonding 等关键技术的快速发展。
在互动问答环节，现场从业者围绕 “如何提升设备与材料的能源利用率”“3D 封装散热技术突破方向” 等问题与专家深入交流。郭升鑫博士建议，企业可从材料自主研发入手，降低对外部技术的依赖，同时加强跨领域合作，共同构建标准化的产业生态。
整场论坛大咖云集、内容扎实，既有技术细节的深度拆解，也有市场趋势的全面分析，更有落地应用的实践指导，不仅为行业传递了前沿技术趋势与市场动态，更促进了产学研用的深度融合。
